按照屏蔽原理可以分為電場屏蔽、磁場屏（píng）蔽和電磁屏蔽。在設計中要想達到所需的屏蔽性能，需要先明確輻射（shè）源、屏蔽範圍、再根據各個頻段（duàn）的典型泄漏（lòu）結構，確定控（kòng）製要素，進而選擇合適的屏蔽材料（liào），設計屏蔽殼體。

      屏蔽體的屏蔽效能由兩個部分組（zǔ）成，吸（xī）收損（sǔn）耗和反射損耗。當電磁波射入到不（bú）同媒質的分界麵時，就（jiù）會（huì）產生反射。反射的電磁波稱為反射損耗，當電磁波在屏蔽體中傳播時就構成了（le）吸收損耗。屏蔽效能 = 吸收（shōu）損耗( A) + 反射損耗( Ｒ) + 多次反射損耗( B) ，如 圖 1 所示。

1.吸收損耗 A

      吸收損耗是由電磁（cí）波（bō）的頻率、屏蔽（bì）體的相對磁導率（lǜ）和相對電導率共同決定，單位是 dB，表達式是:

      式（shì）中，f 為電（diàn）磁波頻（pín）率（lǜ）( Hz) ，μr、σr 為屏蔽體相對於銅的相 對 磁 導 率（lǜ） 和 相（xiàng） 對（duì） 電 導 率，t 為 屏 蔽 體 壁 厚( mm) 。

      由此（cǐ）可以得出: 同一種屏蔽體，相對（duì）磁導率和相（xiàng）對電導率越大，吸收損耗越大，同時，屏蔽體的厚度越大，吸收損耗也越大（dà）。因此（cǐ），當頻率（lǜ）一定時，盡量（liàng）選取相對磁導（dǎo）率和相對導電率越大（dà）的金屬材料（liào），在條件允（yǔn）許的情況下盡可能增加屏蔽體厚度，以提高其吸收損耗（hào）。 

2.反射（shè）損耗（hào） Ｒ

      反射（shè）損耗是由（yóu）屏蔽體表麵處阻（zǔ）抗不連續性引起的，平麵波以 dB 為單位的表達式為（wéi）:

      由（yóu）公式可以得出，電（diàn）磁波頻率越大，反射（shè）損（sǔn）耗越少。對（duì）於同一種材料而言，相對磁導率越小和相對電導率越大，反射（shè）損耗就越大。因此，頻率一定時，盡量選擇導磁率小、導電率大的（de）材料以（yǐ）增（zēng）加反（fǎn）射損耗。 

3. 多次反射損耗 B

      多次反射損耗是由電（diàn）磁波（bō）在屏蔽體內反複碰到壁（bì）麵所產生的（de）損耗。當屏蔽體較厚或者頻率較高時，屏蔽體吸（xī）收損耗較大，這樣當電磁波在屏蔽（bì）體經一次傳播後到（dào）達（dá）另一個分界麵的時候已（yǐ）經衰減很多，經過多次反射，電磁波能量將會越來越小，一（yī）般在吸收損（sǔn）耗大於 15dB，多次損耗可（kě）以忽略。當吸收（shōu）損耗較小，此時多（duō）次損耗必須考慮。表達式為: